パーティクル検査装置
YPI-MX-Θ DC
従来の表面パーティクル検査装置で検出できないSiC表面の潜傷を未検出する事なく測定。
SiC/GaN関連ウェハ表面検査装置
SiC表面パーティクルスキャナ デュアルヘッド搭載
SiC潜傷の未検出を防ぐ 新開発SiC表面パーティクルスキャナ。
従来の表面パーティクル検査装置で検出できないSiC表面の潜傷を未検出する事なく測定。
透明基板検査可能なYPI-MXに搭載する事で、微小傷欠陥を未検出する事なく測定可能なデュアルセンサ。
355nm(UV)レーザーと受光センサを直交2軸に配置することで、微小傷欠陥の方向性依存をなくし、Sic基板の傷欠陥・潜傷を見落とす事なく検出する事が可能。

仕様
スキャン方式 | レーザ側方散乱方式、デュアルヘッドセンサ |
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ワーク設置 | マニュアル/自動搬送機 |
消費電力 | AC100V/200V 30A |
最小検出粒径 | 0.1μm |
再現性 | σ/X ≦ 10% |
測定時間 | 4インチウェハを2分以内 |
検査対象基板 | SiC/各種透明ガラス基板/Siウェハ/各種膜付きウェハ等 |
装置外形寸法 | W900mm×D1,000mm×H1,757mm(マニュアル) W1,530mm×D1,200mm×H1,715mm(自動搬送機) |
本体重量 | 約500kg(マニュアル)/約1,000kg(自動搬送機) |
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