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パーティクル検査装置

YPI-MX-Θ DC

従来の表面パーティクル検査装置で検出できないSiC表面の潜傷を未検出する事なく測定。


SiC/GaN関連ウェハ表面検査装置

SiC表面パーティクルスキャナ デュアルヘッド搭載

SiC潜傷の未検出を防ぐ 新開発SiC表面パーティクルスキャナ。

従来の表面パーティクル検査装置で検出できないSiC表面の潜傷を未検出する事なく測定。

透明基板検査可能なYPI-MXに搭載する事で、微小傷欠陥を未検出する事なく測定可能なデュアルセンサ。

355nm(UV)レーザーと受光センサを直交2軸に配置することで、微小傷欠陥の方向性依存をなくし、Sic基板の傷欠陥・潜傷を見落とす事なく検出する事が可能。

YPI-MX-Θ DC

仕様

スキャン方式 レーザ側方散乱方式、デュアルヘッドセンサ
ワーク設置 マニュアル/自動搬送機
消費電力 AC100V/200V 30A
最小検出粒径 0.1μm
再現性 σ/X ≦ 10%
測定時間 4インチウェハを2分以内
検査対象基板 SiC/各種透明ガラス基板/Siウェハ/各種膜付きウェハ等
装置外形寸法 W900mm×D1,000mm×H1,757mm(マニュアル)
W1,530mm×D1,200mm×H1,715mm(自動搬送機)
本体重量 約500kg(マニュアル)/約1,000kg(自動搬送機)

製品の在庫や仕様など、まずはお気軽にお問い合わせください。

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